Если у вас нет аккаунта, зарегистрируйтесь
Забыли пароль?
Новые оптоэлектронные приборы для ближнего и среднего ИК-диапазона открывают новые возможности для создания портативных сенсоров. Исследования осуществляются ООО «Микросенсор Технолоджи» при грантовой поддержке Фонда «Сколково»

Технологии

Светодиоды и фотодиоды, которые производит ООО "ЛЕД Микросенсор НТ" были созданы в результате многолетних исследований в области физики полупроводников, проводимых нашими сотрудниками в Физико-Техническом институте им. А. Ф. Иоффе. Впервые гетероструткуры для лазеров были получены в конце 1960х годов, а за их разработку в 2000 году Ж. И. Алферову была присуждена Нобелевская премия.
Фотодиодные и светодиодные гетероструктуры формируются методом эпитаксиального роста полупроводниковых слоев на кристаллической подложке. Длина волны излучения светодиода и длинноволновая граница чувствительности фотодиода определяются шириной запрещенной зоны используемого в активной области полупроводникового материала. Использование узкозонных полупроводниковых материалов на основе твердых растворов GaSb-InAs позволяет создавать излучатели и приемники, которые работают в среднем ИК диапазоне. Ниже описаны основные стадии производства нашей продукции.

Основные технологические стадии.

1) Первая и основная технологическая стадия производства диодов – рост эпитаксиальных слоев. Диодная структура формируется последовательными эпитаксиальными слоями на поверхности кристаллической подложки. Мы используем жидкофазный (LPE) - и MOCVD (газофазная эпитаксия из металлорганических соединений) методы для эпитаксиального роста.


Установки эпитаксиального роста, используемые ООО "ЛЕД Микросенсор НТ"

Использование гетероструктур на основе GaInAsSb/AlGaAsSb на подложке GaSb позволяет создать светодиоды на спектральный диапазон 1600-2400нм, а InAsSb/InAsSbP гетероструктур на подложке InAs - для диапазона 2800-5000нм. Существующий разрыв в диапазоне между 2400нм и 2800нм обусловлен наличием зоны несмешиваемости для компонентов на основе GaInAsSb, которая зависит от температуры эпитаксии и состава соединения.

2) Вторая технологическая стадия – постростовый процесс. Он включает нанесение системы контактов , фотолитографию для формирования решетки, селективное травление и разделение пластины на чипы.


Полупроводниковая пластина после процесса фотолитографии
(светодиодные чипы с кольцевыми контактами)



3) Третья стадия – сборка чипов. Эта стадия заключается в монтаже чипов на корпуса и пайку контактов.


Монтаж чипов на корпуса


4) Заключительной и необходимой стадией технологического цикла является стадия контроля качества.