Прототипы сенсорных модулей, анализаторов и компонентов беспроводных сенсорных сетей применяются для анализа содержания различных веществ в жидкостях, газах и твердых субстанциях.
Деятельность осуществляется при грантовой поддержке Фонда «Сколково»
Технологии
Светодиоды и фотодиоды, которые производит ООО "ЛЕД Микросенсор НТ" были созданы в результате многолетних исследований в области физики полупроводников, проводимых нашими сотрудниками в Физико-Техническом институте им. А. Ф. Иоффе. Впервые гетероструткуры для лазеров были получены в конце 1960х годов, а за их разработку в 2000 году Ж. И. Алферову была присуждена Нобелевская премия.
Фотодиодные и светодиодные гетероструктуры формируются методом эпитаксиального роста полупроводниковых слоев на кристаллической подложке. Длина волны излучения светодиода и длинноволновая граница чувствительности фотодиода определяются шириной запрещенной зоны используемого в активной области полупроводникового материала. Использование узкозонных полупроводниковых материалов на основе твердых растворов GaSb-InAs позволяет создавать излучатели и приемники, которые работают в среднем ИК диапазоне. Ниже описаны основные стадии производства нашей продукции.
2) Вторая технологическая стадия – постростовый процесс. Он включает нанесение системы контактов , фотолитографию для формирования решетки, селективное травление и разделение пластины на чипы.
3) Третья стадия – сборка чипов. Эта стадия заключается в монтаже чипов на корпуса и пайку контактов.
4) Заключительной и необходимой стадией технологического цикла является стадия контроля качества.
Фотодиодные и светодиодные гетероструктуры формируются методом эпитаксиального роста полупроводниковых слоев на кристаллической подложке. Длина волны излучения светодиода и длинноволновая граница чувствительности фотодиода определяются шириной запрещенной зоны используемого в активной области полупроводникового материала. Использование узкозонных полупроводниковых материалов на основе твердых растворов GaSb-InAs позволяет создавать излучатели и приемники, которые работают в среднем ИК диапазоне. Ниже описаны основные стадии производства нашей продукции.
Основные технологические стадии.
1) Первая и основная технологическая стадия производства диодов – рост эпитаксиальных слоев. Диодная структура формируется последовательными эпитаксиальными слоями на поверхности кристаллической подложки. Мы используем жидкофазный (LPE) - и MOCVD (газофазная эпитаксия из металлорганических соединений) методы для эпитаксиального роста.
Установки эпитаксиального роста, используемые ООО "ЛЕД Микросенсор НТ"
2) Вторая технологическая стадия – постростовый процесс. Он включает нанесение системы контактов , фотолитографию для формирования решетки, селективное травление и разделение пластины на чипы.
Полупроводниковая пластина после процесса фотолитографии
(светодиодные чипы с кольцевыми контактами)
3) Третья стадия – сборка чипов. Эта стадия заключается в монтаже чипов на корпуса и пайку контактов.
Монтаж чипов на корпуса
4) Заключительной и необходимой стадией технологического цикла является стадия контроля качества.